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深圳市新纳斯科技有限公司
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功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE
制造商:epc
系列:-
包装:剪切带(CT)
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.6nC @ 5V
Vgs(最大值):+6V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):345pF @ 100V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 20A,5V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:模具
封装/外壳:模具
标准包装:1
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